产品信息
零件编号 FDS6900ASTR-ND
现有数量 0
厂方库存 ?: 15,000
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FDS6900AS
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 12 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A, 8.2A 900mW Surface Mount 8-SO
）类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®，SyncFET™
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.9A，8.2A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 27 毫欧 @ 6.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 600pF @ 15V
功率 - 值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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