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Evan 
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HMC8192LG的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力，而无需进行成本高昂的干扰边带滤波。该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能，并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。
作为一款无源混频器，无需任何直流电源。相比有源混频器，HMC8192LG提供较低的噪声系数，从而确保针对高性能和精密应用提供出色的动态范围。
HMC8192LG采用砷化镓 (GaAs)、金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造，使用了Analog Devices, Inc.混频器单元和90°混合器件等组件。HMC8192LG采用紧凑型、4.00mm × 4.00mm、25引脚焊盘栅格阵列腔 (LGA_CAV) 封装，工作温度范围为-40°C至+85°C。
| MAX3488AEGSA+T |
| MAX13020ASA+ |
| ADM3315EACPZ-REEL7 |
| ADM3307EWARUZ-RL7 |
| MAX221EEAE+T |
| MAX221EEUE+T |
| MAX3319EAE+T |
| LTC2857CDD-1#PBF |
| LTC2857CDD-2#PBF |
| LTC2858CDD-2#PBF |
| LTC2858CDD-1#PBF |
| LTC2852IS#TRPBF |
| LTC2857IMS8-1#TRPBF |
| LTC2857IDD-2#TRPBF |
| LTC2857IDD-1#TRPBF |
| LTC2858IMS-2#TRPBF |
| LTC2858IDD-1#TRPBF |
| LTC2858IDD-2#TRPBF |
| LTC2857IMS8-2#TRPBF |
| MAX13053AEASA+T |
| MAX13088EESA+T |
| MAX13088EASA+T |
| MAX13087EESA+T |
| MAX561CAI+T |
| MAX13084EESA+T |
| MAX13089EESD+T |
| MAX3490AEGSA+T |
| LTC2803CGN-1#TRPBF |
| LTC2803CDHC#TRPBF |
| LTC2850HDD#TRPBF |
| LTC2850HMS8#TRPBF |
| LTC2850HS8#TRPBF |
| LTC2856HDD-1#TRPBF |
| LTC2856HDD-2#TRPBF |
| LTC2856HMS8-1#TRPBF |
| LTC2856HMS8-2#TRPBF |
| ADM3311EARUZ-REEL |
| ADM3075EYRZ-REEL7 |
| ADM3072EYRZ-REEL7 |
| AD8392AACPZ-RL |
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